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中芯國際宣布N + 1進程:宣稱與臺積電的7nm節(jié)點“幾乎相同”

VR/AR
2020
10/15
13:13
新浪VR
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來源:新浪VR

中國晶圓代工廠中芯國際(SMIC)和LSI制造商Innosilicon宣布,他們已經(jīng)完成了使用前者的N + 1工藝技術(shù)制造的第一款國產(chǎn)芯片的數(shù)字設(shè)計。根據(jù)中芯國際的《梁夢頌》,在效率方面,該公司的N + 1工藝與臺積電的7nm節(jié)點“幾乎相同”。臺積電的N7級節(jié)點是世界上最先進的節(jié)點,僅次于其5nm EUV工藝,這本身就是一個大膽的主張。

但是,仔細研究一下基礎(chǔ)知識,很明顯,盡管N + 1相當有效,但就性能和密度而言,還遠遠不夠。與SMIC自己的14nm工藝相比,N + 1降低了57%的功耗,邏輯芯片面積減少了63%。但是,性能提升僅為20%左右。相比之下,TSMC的7nm節(jié)點與14nm節(jié)點相比,性能提高了35%,功率效率提高了55%,密度提高了3.3倍。

另一個問題是,中芯國際N + 1工藝的生產(chǎn)成本比臺積電7nm工藝的生產(chǎn)成本高得多,后者與產(chǎn)量直接相關(guān)。要再提高一兩年的產(chǎn)量。因此,我們正在研究2021年甚至2022年的量產(chǎn)。

這主要是由于中芯國際被迫使用193nm掃描儀,與臺積電的7nm(ASML)掃描儀相比,它需要更多的生產(chǎn)步驟,掩模和原材料。

中芯國際(SMIC)希望在其N + 2節(jié)點上引入EUV技術(shù),但美國最近的限制使其擱置。消息人士稱,中芯國際已經(jīng)獲得了EUV步進掃描系統(tǒng),但由于制裁,該系統(tǒng)尚未安裝。

有趣的是,在實際開始批量生產(chǎn)時,與其他高級流程相比,N + 1流程的效果如何。但是,請記住,屆時臺積電將開始量產(chǎn)其3nm和2nm工藝。

THE END
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